Арсенід галію
| Арсенід галію | |
| Агульныя | |
|---|---|
| Хім. формула | GaAs |
| Тэрмічныя ўласцівасці | |
| Класіфікацыя | |
| Рэг. нумар CAS | |
| PubChem | |
| Рэг. нумар EINECS | 215-114-8 |
| SMILES | |
| RTECS | LW8800000 |
| ChemSpider | |
Арсені́д га́лію — хімічнае злучэнне галію з мыш'яком, GaAs. Сінтэтычнае монакрышталічнае рэчыва. Паўправаднік.
Шчыльнасць 5,31 г/см² (5,317 г/см³[1]). Тэмпература плаўлення 1238 °C. Цвёрдасць 4,5.
Валодае вялікай цеплаправоднасцю, п'езаэлектрычнымі, магнітастатычнымі і электрааптычнымі ўласцівасцямі.
Выкарыстоўваецца ў вытворчасці паўправадніковых лазераў, тунэльных дыёдаў, дыёдаў Гана і іншых паўправадніковых прыбораў.
Зноскі
Літаратура
[правіць | правіць зыходнік]- Физический энциклопедический словарь / Гл. ред. А. М. Прохоров. Ред. кол. Д. М. Алексеев, А. М. Бонч-Бруевич, А. С. Боровик и др.. — М.: Сов. энциклопедия, 1983. — С. 33. — 982 с. — 100 000 экз. (руск.)
Спасылкі
[правіць | правіць зыходнік]- Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН (англ.)
На Вікісховішчы ёсць медыяфайлы па тэме Арсенід галію
