Сяргей Васільевіч Гапоненка

Сяргей Васільевіч Гапоненка
Дата нараджэння	5 чэрвеня 1958(1958-06-05) (63 гады)
Месца нараджэння	Мінск, БССР, СССР
Грамадзянства	СССР  Беларусь
Род дзейнасці	фізік
Навуковая сфера	фізіка
Месца працы	БДУ Інстытут фізікі імя Б. І. Сцяпанава НАН Беларусі Інстытут малекулярнай і атамнай фізікі НАН Беларусі
Навуковая ступень	доктар фізіка-матэматычных навук
Навуковае званне	прафесар акадэмік НАН Беларусі
Альма-матар	БДУ (1980)
Навуковы кіраўнік	Віктар Паўлавіч Грыбкоўскі
Прэміі	Прэмія Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі (2010)
Узнагароды

Сяргей Васільевіч Гапоненка (нар. 5 чэрвеня 1958, г. Мінск) — беларускі фізік. Акадэмік Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі (2014; чл.-кар. з 2004), доктар фізіка-матэматычных навук (1996), прафесар (2008).

Біяграфія

Скончыў Белдзяржуніверсітэт (1980).

З 1980 года ў Інстытуце фізікі ім. Б. І. Сцяпанава Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. У 1997—1999 гадах намеснік дырэктара па навуковай рабоце, у 1999—2000 гадах в.а. дырэктара, у 2000—2007 гадах дырэктар і адначасова з 2001 года загадчык лабараторыі Інстытута малекулярнай і атамнай фізікі Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі. З 2007 года загадчык лабараторыі Інстытута фізікі ім. Б. І. Сцяпанава Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі.

Узнагароды

Прэмія Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі 2010 года.

Навуковая дзейнасць

Навуковыя даследаванні ў галіне фізікі і оптыкі нанаструктур кандэнсаваных асяроддзяў. Устанавіў ролю прымеснай рэкамбінацыі ў фарміраванні нелінейных аптычных уласцівасцяў паўправадніковых крышталяў. Упершыню выявіў і даследаваў неаднароднае пашырэнне аптычных спектраў паўправадніковых нанакрышталёў у дыэлектрычных матрыцах, усталяваў шэраг прынцыповых заканамернасцяў эвалюцыі уласцівасцяў наначасціц пры пераходзе ад малаатамных кластараў да аб’ёмных цвёрдых целаў. Даследаваў узаемадзеянне электрамагнітнага выпраменьвання з квантавымі сістэмамі ва ўмовах прасторавага абмежавання электрамагнітных хваль. Прапанаваў выкарыстоўваць коллоідныя крышталічныя нанаструктуры ў якасці прататыпа для стварэння «фатонных крышталяў», выявіў і даследаваў змену верагоднасці квантавых пераходаў малекул у такіх наноструктурах, абумоўленае змяненнем шчыльнасці фатонных станаў. На аснове аналізу квантавых працэсаў працэсаў у нанаструктурах прапанаваў механізм узмацнення рэзананснага і камбінацыйнага рассейвання святла ў нанаструктурах, а таксама практычныя метады павышэння адчувальнасці спектраскапіі гіганцкага камбінацыйнага рассейвання і эфектыўнасці святловыпрамяняльных цвёрдацельных структур. Устанавіў асноўныя заканамернасці распаўсюджвання выпраменьвання ў наноструктурах з фрактальнай геаметрыяй, прапанаваў прынцыпы кадавання інфармацыі на аснове характарыстычных спектраў класічных хваль і квантавых часціц у наноструктурах.

Аўтар каля 200 навуковых прац, у т. л. 3 манаграфій. Пад яго рэдакцыяй замежнымі выдавецтвамі апублікавана 6 зборнікаў навуковых прац па фізіцы нанаструктур.

Бібліяграфія

• Оптические процессы в полупроводниковых нанокристаллах // Физика и техника полупроводников. 1996. Т.30, № 4.
• Испускание и рассеяние света в наноструктурах: роль плотности фотонных состояний // Изв. РАН. Сер. физ. 2004. Т.68, № 1.
• Semiconductor Quantum Structures. Part 2. Optical Propertries. Springer Verlag, Berlin, 2004 (with H. Kalt, U. Woggon).
• Optical Properties of Semiconductor Nanocrystals. Cambridge University Press, Cambridge, 2005.
• Introduction to Nanophotonics. Cambridge University Press, Cambridge, 2010.