Фадзей Фадзеевіч Камароў

З пляцоўкі Вікіпедыя
Перайсьці да навігацыі Перайсьці да пошуку
Фадзей Фадзеевіч Камароў
Дата нараджэння 20 жніўня 1945(1945-08-20) (76 гадоў)
Месца нараджэння
Грамадзянства
Род дзейнасці навуковец, выкладчык універсітэта
Месца працы
Навуковая ступень доктар фізіка-матэматычных навук (1983)
Навуковае званне
Альма-матар
Прэміі
Дзяржаўная прэмія Рэспублікі Беларусь

Фадзей Фадзеевіч Камароў (нар. 20 жніўня 1945, в. Галузы, Чавускі раён, Магілёўская вобласць) — беларускі фізік. Член-карэспандэнт Нацыянальнай акадэміі навук Беларусі (1996), акадэмік НАН Беларусі (2021)[1], доктар фізіка-матэматычных навук (1983), прафесар (1984).

Біяграфія[правіць | правіць зыходнік]

Скончыў Магілёўскі педагагічны інстытут (1969). Вучыўся ў аспірантуры фізфака БДУ (1971—1974).

Працаваў стажорам-даследчыкам на фізічным факультэце БДУ (1969—1971). З 1974 года старшы навуковы супрацоўнік, у 1976—1981 гадах і з 1992 года загадчык лабараторыі, у 1981—1992 года намеснік дырэктара па навуковай рабоце НДІ прыкладных фізічных праблем ім. А. М. Сеўчанкі Беларускага дзяржаўнага універсітэта. Адначасова з 1982 года загадчык кафедры Беларускага дзяржаўнага ўніверсітэта[2].

Прэміі[правіць | правіць зыходнік]

Лаўрэат Дзяржаўнай прэміі Рэспублікі Беларусь (1998, разам з А. І. Белавусам, В. А. Сокалам, В. А. Емяльянавым, Э. Ф. Лабановічам, А. В. Сіліным) — за цыкл работ «Распрацоўка новых метадаў праектавання і развіццё фізіка-тэхналагічных асноў стварэння высокіх тэхналогій вытворчасці канкурэнтаздольных мікраэлектронных вырабаў», лаўрэат прэміі імя А. Н. Сеўчанкі (2005).

Навуковая дзейнасць[правіць | правіць зыходнік]

Навуковыя даследаванні ў галіне радыяцыйнай фізікі цвёрдага цела, мікраэлектронікі і рэнтгенаўскай оптыкі. Распрацаваў тэарэтычныя асновы фізікі іонна-прамянёвага легіравання матэрыялаў. Прапанаваў тэхналогію стварэння вырабаў электроннай тэхнікі з выкарыстаннем высокаінтэнсіўных іённых пучкоў, распрацаваў новыя метады атрымання звышцвёрдых, зноса — і каразійнастойкіх, каталітычна актыўных матэрыялаў. Прапанаваў фізічныя прынцыпы кіравання пучкамі жорсткіх рэнтгенаўскіх і гама-квантаў, стварыў элементы і сістэмы оптыкі жорсткіх квантаў. Даследаваў спектральна-вуглавыя характарыстыкі выпраменьвання каналіраваных рэлятывісцкіх часціц. Стварыў сістэму скразнога мадэлявання тэхналагічных працэсаў субмікроннай электронікі. Распрацаваў шэраг арыгінальных новых тэхналогій мікра- і нанаэлектронікі. Унёс уклад у станаўленне новых фізіка-тэхналагічных абласцей (глыбокая субмікронная электроніка і нанаэлектроніка, дэфектна-прымесная інжынерыя матэрыялаў, трэкавая нанаэлектронія, фізіка і тэхніка квантаваразмерных структур і прыбораў, структур з вугляроднымі нанатрубкамі).

Аўтар больш за 400 навуковых прац, у т. л. 15 манаграфій, 42 вынаходстваў.

Бібліяграфія[правіць | правіць зыходнік]

  • Tables of Ion Implantation Spatial Distributions. N.Y. etc.: Harwood Academic, 1986 (в соавт.).
  • Non-destructive Analysis of Solid Surfaces by Ion Beams. N.Y. etc.: Gordon & Breach Science Publishers, 1990 (в соавт.).
  • Ion Beam Modification of Metals. N.Y.: Taylor & Francis, 1992 (with Curtis P.).
  • Radiation from Charged Particles in Solids. Berlin: Springer, 1997 (в соавт.).

Літаратура[правіць | правіць зыходнік]

  • Беларуская энцыклапедыя : у 18 т. / рэдактар Г. П. Пашкоў. — Мінск, 1998. — Т. 7. — С. 503—504 : фота.
  • Кто есть Кто : Деловой мир СНГ. 2002 / под редакцией И. В. Чекалова. — Минск, 2002. — Вып. 2. — С. 188.
  • Кто есть Кто : Деловой мир СНГ. 2006 / под редакцией И. В. Чекалова. — Минск, 2006. — С. 182 : фото.
  • Люди дела. Кто есть Кто в Республике Беларусь / под редакцией И. В. Чекалова. — Минск, 1999. — С. 283—284.

Зноскі