Хіросі Амана

З пляцоўкі Вікіпедыя
Jump to navigation Jump to search
Хіросі Амана
яп.: 天野浩
Hiroshi Amano 20141211.jpg
Дата нараджэння 11 верасня 1960(1960-09-11)[1][2][3] (61 год)
Месца нараджэння
Грамадзянства
Род дзейнасці фізік, выкладчык універсітэта, інжынер
Навуковая сфера фізік
Месца працы
Навуковая ступень доктар тэхнічных навук
Альма-матар
Навуковы кіраўнік Ісаму Акасакі[5]
Узнагароды
Commons-logo.svg Хіросі Амана на Вікісховішчы

Хіросі Амана (яп.: 天野 浩; нар. 11 верасня 1960, Хамамацу, Японія) — японскі вучоны, інжынер-электронік, фізік. Лаўрэат Нобелеўскай прэміі па фізіцы 2014 года разам з Ісаму Акасакі і Сюдзі Накамура за «вынаходніцтва эфектыўных блакітных святлодыёдаў, якое прывяло да з’яўлення яркіх і энергазберагальных белых крыніц святла».[6]

Амано быў абраны членам Нацыянальнай інжынернай акадэміі ў 2016 годзе за распрацоўку легіравання нітрыду галію р-тыпу (GaN), які дазваляе выкарыстоўваць сінія паўправадніковыя святлодыёды.

Ранняе жыццё і адукацыя[правіць | правіць зыходнік]

Хіросі Амана з Сіндза Абэ (у афіцыйнай рэзідэнцыі прэм’ер-міністра 22 кастрычніка 2014 года)

Амана нарадзіўся ў Хамацацу, Японія 11 верасня 1960 года. Ён атрымаў ступень бакалаўра, магістра і доктара інжынерыі ў 1983, 1985 і 1989 гадах адпаведна ва Універсітэце Нагоі.

У пачатковай школе ён гуляў у футбол у якасці брамніка і ў софтбол у якасці лаўца. Ён таксама быў радыёаматарам, і, нягледзячы на нянавісць да вучобы, добра валодаў матэматыкай. Паступіўшы ў сярэднюю школу, ён пачаў сур’ёзна ставіцца да вучобы і стаў лепшым вучнем, вучачыся кожны дзень да позняй ночы.

Кар’ера[правіць | правіць зыходнік]

З 1988 па 1992 год ён быў навуковым супрацоўнікам Універсітэта Нагоі. У 1992 годзе ён перайшоў ва ўніверсітэт Мейджо, дзе быў дацэнтам. З 1998 па 2002 год працаваў дацэнтам. У 2002 годзе ён стаў прафесарам. У 2010 годзе ён перайшоў у Вышэйшую інжынерную школу Універсітэта Нагоі, дзе і ў цяперашні час з’яўляецца прафесарам.

Ён далучыўся да групы прафесара Ісаму Акасакі ў 1982 годзе як студэнт. З тых часоў ён праводзіў даследаванні па пытаннях росту, характарыстыкі і прымянення паўправаднікоў з нітрыду групы III, якія добра вядомыя як матэрыялы, якія выкарыстоўваюцца сёння ў сініх святлодыёдах. У 1985 годзе ён распрацаваў буферныя пласты з нізкатэмпературным напыленнем для росту паўправадніковых плёнак нітрыднай групы III на сапфіравай падкладцы, што прывяло да рэалізацыі святлодыёдаў і лазерных дыёдаў на аснове паўправаднікоў групы III-нітрыду. У 1989 годзе яму ўдалося вырасціць GaN p-тыпу і ўпершыню ў свеце вырабіць ультрафіялетавы святлодыёд на аснове pN-пераходу GaN.

Вядомы тым, што імкнецца да даследаванняў, лабараторыя Амана заўсёды асвятлялася позна ўначы, напрыклад, у будні, святы, Новы год і называлася «без начнога замка».[7] Па словах яго студэнтаў у лабараторыі, Амана аптымістычная і ўмераная асоба і ніколі не злуецца.[8][9]

Узнагароды[правіць | правіць зыходнік]

Разам з Сюнічы Ямагучы (12 лістапада 2014 года)
Разам з Сюдзі Накамурай і Ісаму Акасакі (у Гранд-гатэлі 8 снежня 2014 года)


Абраныя публікацыі[правіць | правіць зыходнік]

  • Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. (1986-02-03). "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer". Applied Physics Letters (AIP Publishing) 48 (5): 353–355. doi:10.1063/1.96549. ISSN 0003-6951. Bibcode1986ApPhL..48..353A. 
  • Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kozawa, Takahiro; Hiramatsu, Kazumasa. "Electron beam effects on blue luminescence of zinc-doped GaN". Journal of Luminescence (Elsevier BV) 40-41: 121–122. doi:10.1016/0022-2313(88)90117-2. ISSN 0022-2313. Bibcode1988JLum...40..121A. 
  • Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1989-12-20). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)". Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 28 (Part 2, No. 12): L2112–L2114. doi:10.1143/jjap.28.l2112. ISSN 0021-4922. Bibcode1989JaJAP..28L2112A. 
  • Murakami, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa. "Growth of Si-doped AlxGa1–xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy". Journal of Crystal Growth (Elsevier BV) 115 (1–4): 648–651. doi:10.1016/0022-0248(91)90820-u. ISSN 0022-0248. Bibcode1991JCrGr.115..648M. 
  • Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa (1991-09-15). "Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures". Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 30 (Part 1, No. 9A): 1924–1927. doi:10.1143/jjap.30.1924. ISSN 0021-4922. Bibcode1991JaJAP..30.1924I. 
  • I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide & K. Manabe, Int. Фіз. Канф. Сяр. 129, 851 (1992).
  • Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu (1995-11-01). "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device". Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 34 (11B). doi:10.7567/jjap.34.l1517. ISSN 0021-4922. 

Зноскі

  1. Amano Hiroshi // Encyclopædia Britannica Праверана 9 кастрычніка 2017.
  2. Hiroshi Amano // Brockhaus Enzyklopädie Праверана 9 кастрычніка 2017.
  3. Hiroshi Amano // Munzinger Personen Праверана 9 кастрычніка 2017.
  4. 4,0 4,1 4,2 4,3 4,4 4,5 Faculty Member - AMANO, HiroshiNagoya University. Праверана 11 мая 2020.
  5. http://profs.provost.nagoya-u.ac.jp/view/html/100001778_en.html
  6. The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release. Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014.
  7. 快挙の師弟、笑顔で握手=「今も緊張」天野さん―赤崎さん、不夜城紹介・ノーベル賞 | ガジェット通信. Архівавана з першакрыніцы October 15, 2014.
  8. 「天野浩さんの人柄を仲間が紹介」. Архівавана з першакрыніцы October 11, 2014.
  9. ノーベル物理学賞受賞の天野浩教授 研究に没頭「とにかく熱心」 静岡.