КМАП

З пляцоўкі Вікіпедыя.
Перайсці да: рух, знайсці
Статычны КМАП-інвертар (вентыль NOT).

Камплементарны метал-аксід-паўправаднік (скар. КМАП; англ.: Complementary metal–oxide–semiconductor, CMOS) — тэхналогія стварэння мікрасхем, якая ўжываецца ў вытворчасці мікрапрацэсараў, мікракантралёраў, статычнай памяці і іншых лічбавых электронных кампанентаў. Тэхналогія КМАП ужываецца таксама ў некаторых аналагавых схемах, як то лічбавых фотаматрыцах (КМАП-сэнсар), пераўтваральніках звестак і трансіверах. Патэнт на тэхналогію быў атрыманы Фрэнкам Уэнлесам (па-англійску: Frank Wanlass) у 1967 годзе.

Дзвюма ключавымі асаблівасцямі прылад на КМАП з'яўляюцца ўстойлівасць да шуму і малы ўзровень спажывання энергіі ў статычным рэжыме (збольшага можна лічыць, што энергія спажываецца толькі ў часе пераключэння станаў). Адпаведна, прылады з КМАП выдзяляюць параўнальна меней пабочнага цяпло, як то прылады на транзістарна-транзістарнай логіцы або N-МАП, у якой напружанне трывае, нават калі стан не змяняецца.

У КМАП выкарыстоўваюцца палявыя транзістары з ізаляванай засаўкай з каналамі рознай праводнасці. Слова «камплементарны» ў назве тлумачыцца тым, што канструкцыя КМАП складаецца з двух камплементарных (т. б. якія дапаўняюць адзін аднаго) p- і n-канальных МАП-транзістараў, якія выконваюць лагічныя аперацыі; у гэтым палягае прычына іх лепшай прадукцыйнасці і меншага энергаспажывання, але таксама яны характарызуюцца больш складаным тэхналагічным працэсам і меншай шчыльнасцю ўпакоўкі.

«Метал-аксід-паўправаднік» — апісанне фізічнай структуры некаторых палявых транзістараў, у якіх металічная засаўка — электрод — размешчаная на акісленым дыэлектрыку, які ў сваю чаргу размешчаны на паўправадніковым матэрыяле. Раней у якасці апошняга выкарыстоўваліся двухмнагачленавыя паўправаднікі з алюмінію, але цяпер для гэтага служыць полікрысталічны крэмній.

Спасылкі[правіць | правіць зыходнік]

Шаблон:Сем'і інтэгральных схем