Палявы транзістар

З пляцоўкі Вікіпедыя
Перайсці да: рух, знайсці

Палявы транзістарпаўправадніковы прыбор з токаправодным каналам, ток у якім кіруецца электрычным полем.

Працяканне ў палявым транзістары току абумоўлена носьбітамі зараду толькі аднаго знаку (электронамі ці дзіркамі), таму такія прыстасаванні называюць уніпалярнымі (у адрознінні ад біпалярных).

Класіфікацыя палявых транзістараў[правіць | правіць зыходнік]

Па фізічнай структуры і механізму работы палявыя транзістары ўмоўна дзеляць на 2 групы. Першую ствараюць транзістары з кіруемым р-n пераходам або пераходам метал — паўправаднік (бар'ер Шоткі), другую — транзістары з кіраваннем пры дапамозе ізаляванага электроду (засаўцы), гэтак званыя транзістары МДП (метал — дыэлектрык — паўправаднік).

Транзістары з кіруемым p-n пераходам[правіць | правіць зыходнік]

Транзістары з ізаляванай засаўкай (МДП-транзістары)[правіць | правіць зыходнік]

Пялевы транзістар з ізаляванай засаўкай — гэта палявы транзістар, засаўка якога адасоблена ў электрычных адносінах ад канала слоем дыэлектрыка.

У крыштале паўправадніка з адносна высокім удзельным супраціўленнем, які называюць падложкай, створаны дзве моцналегіраваныя вобласці з супрацьлеглымі адносна падложкі тыпам праводнасці. На гэтыя вобласці нанесяны металічныя электроды — выток і сток. Адлегласць паміж моцналегіраванымі абласцямі вытоку і стоку можа быць меньш за мікрон. Паверхня крышталя паўправадніка паміж вытокам і стокам пакрыта тонкім слоем (каля 0,1 мкм) дыэлектрыка. Паколькі зыходным паўправадніком для палявых транзістараў з'яўляецца крэмній, то ў якасці дыэлектрыка выкарыстоўваюць слой двувокісу крэмнія SiO2, вырашчаный на паверхні крышталю крэмнія шляхам высокатэмпературнага акіслення. На слой дыэлектрыка нанесены металічны электрод — затвор. Адтрымоўваецца структура, якая складаецца з метала, дыэлектрыка і паўправадніка. Таму палявыя транзістары з ізаляваным затворам часта называюць МДП-транзістарамі.

Уваходнае супроціўленне МДП-транзістараў можа дасягаць 1010...1014 Ом (у палявых транзістарах з кіруемым p-n-пераходам 107...109), што з'яўляецца перавагай пры пабудове высакодакладных прыстасаванняў.

Існуюць дзве разнавіднасці МДП-транзістараў: з індукаваным каналам і з убудаваным каналам.

МДП-транзістары з індукаваным каналам[правіць | правіць зыходнік]

У МДП-транзістарах з індукаваным каналам праводзячы канал паміж моцналегіраванымі абласцямі вытоку і сток адсутнічае і таму заўважны ток стоку з'являецца толькі пры пэўнай палярнасці і пры пэўным значэнні напружання на затворы адносна вытоку, якое называюць парогавым напружаннем (UЗІпар).

МДП-транзістары з убудаваным каналам[правіць | правіць зыходнік]

У МДП-транзістарах з убудаваным каналам у паверхні паўправадніка пад затворам пры нулявым напружанні на затворы адносна вытоку існуе інверсны слой — канал, які злучае выток са стокам.

МДП-структуры спецыяльнага прызначэння[правіць | правіць зыходнік]