Антысегнетаэлектрычнасць

З пляцоўкі Вікіпедыя
Jump to navigation Jump to search

Антысегнетаэлектрычнасць — фізічная з'ява, сутнасць якой у тым, што ў некаторых крышталях у пэўным інтэрвале тэмператур у побач стаячых іонаў крышталічнай рашоткі электрычныя дыпольныя моманты арыентаваны антыпаралельна (у той час як для сегнетаэлектрыкаў яны арыентаваныя паралельна). З'ява аналагічна з'яве антыферамагнетызму і мае тую ж фізічную прыроду, што і сегнетаэлектрычнасць.

Пераход да антысегнетаэлектрычнага стану надыходзіць пры зніжэнні тэмпературы крышталя да некаторага значэння, званага антысегнатоэлектрычнай кропкай Кюры.

Пры накладанні вонкавага электрычнага поля ў матэрыяле ўзнікае слабая палярызацыя. Пры гэтым максімум дыэлектрычнай пранікальнасці матэрыялу назіраецца ў кропцы Кюры. Пры досыць моцных палях антысегнетаэлектрык можа перайсці ў сегнетаэлектрычны стан. Гэта прыводзіць да назірання так званых падвойных петляў гістэрезісу на плоскасці P(E), дзе P — палярызацыя дыэлектрыка, E — напружанасць знешняга поля.

Найбольш вядомым антысегнетаэлектрыкам са структурай пераўскіту з'яўляецца цырканат свінцу PbZrO3.

Літаратура[правіць | правіць зыходнік]

  • Сивухин Д. В. Общий курс физики. — М.: Наука, 1977. — Т. III. Электричество. — С. 173. — 688 с.
Wiki letter w.svg На гэты артыкул не спасылаюцца іншыя артыкулы Вікіпедыі,
калі ласка, карыстайцеся падказкай і пастаўце спасылкі ў адпаведнасці з прынятымі рэкамендацыямі.