EEPROM
EEPROM (англ.: Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) — электрычна сціральная перапраграмавальная пастаянная запамінальная прылада, адзін з тыпаў энерганезалежнай памяці (такіх як PROM и EPROM). Памяць такога тыпу можа сцірацца і запаўняцца дадзенымі да мільёна разоў.
На сённяшні дзень класічная двухтранзістарная тэхналогія EEPROM практычна цалкам выцесненая NOR флэш-памяццю. Аднак назва EEPROM трывала замацавалася за сегментам памяці малой ёмістасці незалежна ад тэхналогіі.
Прынцып дзеяння[правіць | правіць зыходнік]
Прынцып працы EEPROM заснаваны на змене і рэгістрацыі электрычнага зарада ў ізаляванай вобласці (кішэні) паўправадніковай структуры.
Змена зарада ("запіс" і "сціранне") здзяйсняецца прыкладаннем паміж засаўкай і вытокам вялікага патэнцыялу, каб напружанасць электрычнага поля ў тонкім дыэлектрыку паміж каналам транзістара і кішэняй апынулася дастатковая для ўзнікнення тунэльнага эфекту. Для ўзмацнення эфекту тунэлявання электронаў у кішэню пры запісе прымяняецца невялікае паскарэнне электронаў шляхам прапускання току праз канал палявога транзістара.
Чытанне выконваецца палявым транзістарам, для якога кішэня выконвае ролю засаўкі. Патэнцыял плаваючай засаўкі змяняе парогавыя характарыстыкі транзістара што і рэгіструецца ланцугамі чытання.
Асноўная асаблівасць класічнай вочкі EEPROM — наяўнасць другога транзістара, які дапамагае кіраваць рэжымамі запісу і сцірання. Некаторыя рэалізацыі выконваліся ў выглядзе аднаго трохзасаўкавага палявога транзістара (адна плаваючая засаўка і дзве звычайных).
Гэтая канструкцыя забяспечваецца элементамі, якія дазваляюць ёй працаваць у вялікім масіве такіх жа вочак. Злучэнне выконваецца ў выглядзе двухмернай матрыцы, у якой на скрыжаванні слупкоў і радкоў знаходзіцца адна вочка. Паколькі вочка EEPROM мае тры засаўкі, то акрамя падкладкі да кожнай вочкі падыходзяць тры правадніка (адзін праваднік слупкоў і два правадніка радкоў).