Аляксандр Леанідавіч Асееў

Аляксандр Леанідавіч Асееў
руск.: Александр Леонидович Асеев
Дата нараджэння	24 верасня 1946(1946-09-24) (77 гадоў)
Месца нараджэння	Улан-Удэ, Бурацкая АССР[d], РСФСР, СССР
Грамадзянства	СССР  Расія
Род дзейнасці	фізік
Навуковая сфера	фізіка паўправаднікоў[d]
Месца працы	Institute of Semiconductor Physics[d]
Навуковая ступень	доктар фізіка-матэматычных навук
Альма-матар	Новасібірскі дзяржаўны ўніверсітэт
Член у	Расійская акадэмія навук
Узнагароды

Аляксандр Леанідавіч Асееў (руск.: Александр Леонидович Асеев; 24 верасня 1946, Улан-Удэ, РСФСР) — савецкі і расійскі фізік. Замежны член НАН Беларусі (2014). Акадэмік Расійскай АН (2006, чл.-кар. з 2000). Доктар фізіка-матэматычных навук (1990). Ганаровы член Фізіка-тэхнічнага інстытута ім. А. Ф. Іофе РАН (г. Санкт-Пецярбург) (2006), ганаровы доктар Томскага дзяржаўнага ўніверсітэта (2010), Санкт-Пецярбургскага Акадэмічнага ўніверсітэта (2018). Ганаровы прафесар Бурацкага дзяржаўнага ўніверсітэта (2010). Ганаровы работнік навукі і тэхнікі Расійскай Федэрацыі (2011). Ганаровы грамадзянін г. Улан-Удэ (2016). Ганаровы жыхар г. Новасібірска (2018).

Біяграфія

Скончыў Новасібірскі дзяржаўны ўніверсітэт (1968). З 1968 — у Інстытуце фізікі паўправаднікоў Сібірскага аддзялення РАН (г. Новасібірск), з 1986 — загадчык лабараторыі, з 1994 — намеснік дырэктара па навуковай рабоце, з 1998 — дырэктар. У 1999—2003 — в. а. генеральнага дырэктара, генеральны дырэктар Аб’яднанага інстытута фізікі паўправаднікоў Сібірскага аддзялення РАН. У 2003—2013 — дырэктар, з 2017 — галоўны навуковы супрацоўнік Інстытута фізікі паўправаднікоў ім. А. В. Ржанава Сібірскага аддзялення РАН. Адначасова з 2002 — прафесар Томскага дзяржаўнага ўніверсітэта. У 2008—2017 — віцэ-прэзідэнт РАН, старшыня Сібірскага аддзялення РАН.

Навуковая дзейнасць

Асноўны напрамак навуковай дзейнасці звязаны з вывучэннем атамнай структуры і электронных уласцівасцей паўправадніковых сістэм паніжанай памернасці, развіццём тэхналогій паўправадніковай мікра-, опта- і нанаэлектронікі. Вывучыў атамныя механізмы працэсаў кластарызацыі ўласных кропкавых дэфектаў у крэмніі і германіі, уласцівасці монаатамных прыступак на паверхні крэмнія. На аснове in situ эксперыментаў па апрамяненні паўправадніковых крышталяў электронамі ў ВРЭМ даследаваў рэакцыі ўзаемадзеяння кропкавых дэфектаў паміж сабой, атамамі прымешак, паверхняй і дыслакацыямі. Устанавіў, што асаблівасці гэтых рэакцый вызначаюцца метастабільнымі канфігурацыямі кропкавых дэфектаў у алмазападобнай крышталічнай рашотцы; вывучыў механізмы атамных працэсаў на паверхні і межах падзелу пры фармаванні паўправадніковых сістэм паніжанай памернасці для новага пакалення элементнай базы нанаэлектронікі. Вывучыў найменшую шматтэрмінальную прыладу, створанае метадамі электроннай літаграфіі і рэактыўнага іённага тручэння на аснове гетэрапераходу GaAs/AlGaAs. Паказаў, што трохкантактны квантавы пункт у двухмерным электронным газе з’яўляецца малым інтэрферэнцыйны транзістарам, кіраваным даданнем да кропкі ўсяго некалькіх электронаў. Разлічыў карціну трохмернай электрастатыкі вывучаемай прылады, кагерэнтнага двухмернага транспарта і інтэрферэнцыі электронных хваль у трохкутнай кропцы. Распрацаваў тэхналогію атрымання пласцін крэмній-на-ізалятары (КНІ) з плёнкамі монакрышталічнага крэмнія таўшчынёй да 1 нм (метад DeleCut), на аснове якіх створаны КНІ-палявыя транзістары мікроннага, субмікроннага і нанаметровага памераў, якія валодаюць падвышанай радыяцыйнай і тэмпературнай устойлівасцю.

Аўтар больш за 250 навуковых прац, у тым ліку 5 манаграфій і 9 патэнтаў.

Прэмія Урада Расійскай Федэрацыі ў галіне адукацыі (2012) за навукова-практычную распрацоўку «Навуковае, вучэбнае і вучэбна-метадычнае забеспячэнне падрыхтоўкі высокакваліфікаваных спецыялістаў у галіне размеркаваных вылічальных тэхналогій».

Узнагароджаны медалём ордэна «За заслугі перад Айчынай» I (2017) і II (2008) ступеней, ордэнам «Палярная зорка» (2010, Манголія), знакам адрознення «Грамадзянская доблесць» Рэспублікі Саха (2009, Якуція).

Асноўныя працы

• Скопления междоузельных атомов в кремнии и германии. Новосибирск, 1991 (у суаўт.); Berlin, 1994.
• Когерентное рассеяние в малой квантовой точке // Письма в ЖЭТФ. 2004. Т. 80, № 9 (у суаўт.).
• Моноатомные ступени на поверхности кремния. Новосибирск, 2006 (у суаўт.).
• Нанотехнологии в полупроводниковой электронике // Вестн. РАН. 2006. Т. 76, № 7.

Спасылкі

• Профіль А. Л. Асеева на сайце НАН Беларусі