Пётр Іванавіч Гайдук
| Пётр Іванавіч Гайдук | |
|---|---|
| Дата нараджэння | 18 лістапада 1958 (65 гадоў) |
| Месца нараджэння | |
| Род дзейнасці | навуковец |
| Месца працы | |
| Навуковая ступень | доктар фізіка-матэматычных навук (2005) |
| Навуковае званне |
|
| Альма-матар |
|
Пётр Іванавіч Гайдук (нар. 18 лістапада 1958, в. Сяменькавічы, Барысаўскі раён, Мінская вобласць) — беларускі фізік, спецыяліст у галіне фізікі кандэнсаванага стану. Доктар фізіка-матэматычных навук (2005), дацэнт (1997).
Біяграфія[правіць | правіць зыходнік]
Скончыў Беларускі дзяржаўны ўніверсітэт (спецыяльнасць «Фізіка», 1980; аспірантура, 1984).
Працуе ў Беларускім дзяржаўным універсітэце (у 1982—1994 — Навукова-даследчы інстытут фізіка-хімічных праблем, старшы навуковы супрацоўнік, з 1994 — факультэт радыёфізікі і камп’ютарных тэхналогій, кафедра фізічнай электронікі і нанатэхналогій, прафесар).
Навуковыя інтарэсы: матэрыялазнаўства; мікра- і нанаэлектроніка; фізіка і тэхналогія нізкаразмерных структур; радыяцыйныя эфекты ў паўправадніках.
Бібліяграфія[правіць | правіць зыходнік]
- Процессы формирования низкоразмерных структур в материалах твердотельной электроники при ионно-лучевых воздействиях : диссертация … доктора физико-математических наук : 01.04.07 : защищена 29.04.2005 : утверждена 19.10.2005 / Гайдук Петр Иванович. — Минск, 2005.
- Nanovoids in MBE grown SiGe alloys in-situ implanted with Ge+ ions / P. I. Gaiduk [et al.] // Physical Review B. — 2003. — Vol. 67, iss. 23. — Id. 235310 (p. 1—7).
- Strain-relaxed SiGe/Si heteroepitaxial structures of low threading-dislocation density(недаступная спасылка) / P. I. Gaiduk, A. Nylandsted Larsen, J. Lundsgaard Hansen // Thin Solid Films. — 2000. — Vol. 367, iss. 1/2. — P. 120—125.
- Structural and electrical properties of silicon dioxide layers with embedded germanium nanocrystals grown by molecular beam epitaxy / A. Kanjilal [et.al.] // Applied Physics Letters. — 2003. — Vol. 82, iss. 8. — P. 1212—1214.