Ісаму Акасакі

З пляцоўкі Вікіпедыя
Перайсці да навігацыі Перайсці да пошуку
Ісаму Акасакі
яп.: 赤﨑 勇
Isamu Akasaki 201111.jpg
Дата нараджэння 30 студзеня 1929(1929-01-30)[1][2][…]
Месца нараджэння
Дата смерці 1 красавіка 2021(2021-04-01)[4] (92 гады)
Месца смерці
Грамадзянства
Род дзейнасці фізік, прафесар, інжынер
Навуковая сфера фізік
Месца працы
Навуковая ступень доктар інжынерыі[d] і бакалаўр навук[d]
Альма-матар
Член у
Узнагароды
Commons-logo.svg Ісаму Акасакі на Вікісховішчы

Ісаму Акасакі (яп.: 赤崎 勇; 30 студзеня 1929, Тыран — 1 красавіка 2021, Нагоя) — японскі навуковец, вядомы сваімі працамі ў галіне паўправадніковага матэрыялазнаўства і оптаэлектронікі. Лаўрэат Нобелеўскай прэміі па фізіцы, член Японскай акадэміі навук (2014)[6]. Вынаходнік яркіх сініх нітрыд-галіевых паўправадніковых святлодыёдаў (1989 год) і пасля нітрыд-галіевых сініх святлодыёдаў падвышанай яркасці.

Біяграфія[правіць | правіць зыходнік]

Нарадзіўся і вырас у прэфектуры Кагосіма, дзе падчас вайны яго дом быў разбураны, а сам ён ледзь не загінуў у выніку налёту амерыканскай авіяцыі. У 1952 годзе скончыў Кіёцкі універсітэт і некаторы час працаваў у кампаніі Kobe Kogyo Co. (зараз Denso Ten[en]). З 1959 года займаўся даследчай працай у галіне электронікі ў Нагойскім універсітэце і ў 1964 годзе атрымаў ступень доктара тэхнічных навук. Затым працаваў у кампаніі Matsushita Electric Industrial, дзе ўзначальваў лабараторыю фундаментальных даследаванняў і аддзяленне па даследаванні паўправаднікоў. З 1981 года прафесар факультэта электронікі Нагойскага ўніверсітэта.[7][8] З 1992 года працаваў ва Універсітэце Мэйдзё, дзе з 1996 года быў дырэктарам Цэнтра па даследаванні нітрыдных паўправаднікоў. У 2004 годзе Нагойскі ўніверсітэт прысвоіў яму званне ганаровага прафесара; у 2006 годзе тут адкрыўся названы ў яго гонар Інстытут Акасакі[9].

З 1973 года праводзіў поўнамаштабныя даследаванні, накіраваныя на стварэнне сініх паўправадніковых святлодыёдаў. Тэхналогія стварэння чырвоных і зялёных святлодыёдаў была да таго часу распрацавана. Праблемай было атрыманне патрэбных паўправадніковых крышталяў добрай якасці; самымі папулярнымі кандыдатамі былі нітрыд галію і селенід цынку, аднак апошні не адрозніваўся вельмі высокай стабільнасцю. У 1985 годзе Акасакі з супрацоўнікамі дасягнуў поспеху, прапанаваўшы вырошчваць крышталі нітрыду галію на падкладцы з сапфіру, пакрытай буферным пластом нітрыду алюмінію. У 1989 годзе яны паказалі, што легаванне атамамі магнію ператварае крышталь нітрыду галію ў паўправаднік р-тыпу, здольны даваць значна больш інтэнсіўнае свячэнне. На гэтай аснове ў пачатку 1990-х гадоў былі створаны першыя сінія святлодыёды[9][7].

Узнагароды[правіць | правіць зыходнік]

  • 1991 — Прэмія газеты «Цюніці»
  • 1995 — Залаты медалі Генрыха Велкера
  • 1996 — Медаль з пурпурнай стужкай
  • 1998 — Прэмія Ранка
  • 1998 — C&C Prize
  • 1999 — Медаль Гордана Мура
  • 1999 — Toray Science and Technology Prize
  • 2000 — Прэмія Асахі
  • 2002 — Ордэн Узыходзячага сонца
  • 2002 — Прэмія Фудзівары
  • 2004 — Заслужаны дзеяч культуры
  • 2008 — Замежны член Нацыянальнай інжынернай акадэміі ЗША[10]
  • 2009 — Прэмія Кіёта па перадавых тэхналогіях
  • 2011 — Ордэн Культуры
  • 2011 — Медаль Эдысана
  • 2014 — Імператарская прэмія Японскай акадэміі навук
  • 2014 — Нобелеўская прэмія па фізіцы сумесна з Хіросі Амана і Сюдзі Накамура.
  • 2015 — Прэмія Чарльза Старка Дрэйпера (у ліку ўзнагароджаных таксама Сюдзі Накамура і Нік Халаньяк).
  • 2021 — Прэмія каралевы Лізаветы II у галіне інжынернай справы

Абраныя публікацыі[правіць | правіць зыходнік]

  • Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer. — Applied Physics Letters, 1986. — Vol. 48. — P. 353–355. — DOI:10.1063/1.96549
  • Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI). — Japanese Journal of Applied Physics, 1989. — Vol. 28. — P. L2112–L2114. — DOI:10.1143/JJAP.28.L2112
  • Akasaki I., Amano H., Koide Y., Hiramatsu K., Sawaki N. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE. — Journal of Crystal Growth, 1989. — Vol. 98. — P. 209–219. — DOI:10.1016/0022-0248(89)90200-5
  • Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. rowth and Luminescence Properties of Mg-Doped GaN Prepared by MOVPE. — Journal of the Electrochemical Society, 1990. — Vol. 137. — P. 1639–1641. — DOI:10.1149/1.2086742
  • Akasaki I., Amano H., Kito M., Hiramatsu K. Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. — Journal of Luminescence, 1991. — Vol. 48-49. — P. 666–670. — DOI:10.1016/0022-2313(91)90215-H
  • Hiramatsu K., Itoh S., Amano H., Akasaki I., Kuwano N., Shiraishi T., Oki K. Growth mechanism of GaN grown on sapphire with A1N buffer layer by MOVPE. — Journal of Crystal Growth, 1991. — Vol. 115. — P. 628–633. — DOI:10.1016/0022-0248(91)90816-N
  • Akasaki I., Sota S., Sakai H., Tanaka T., Koike M., Amano H. Shortest wavelength semiconductor laser diode. — Electronics Letters, 1996. — Vol. 32. — P. 1105–1106. — DOI:10.1049/el:19960743
  • Akasaki I., Amano H. Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters. — Japanese Journal of Applied Physics, 1997. — Vol. 36. — P. 5393–5408. — DOI:10.1143/jjap.36.5393
  • Takeuchi T., Amano H., Akasaki I. Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells. — Japanese Journal of Applied Physics, 2000. — Vol. 39. — P. 413–416. — DOI:10.1143/jjap.39.413
  • Акасаки И. Увлекательные приключения в поисках синего света: Нобелевская лекция. — УФН, 2016. — Vol. 186. — P. 504–517. — DOI:10.3367/UFNr.2014.12.037725

Зноскі

  1. Encyclopædia Britannica
  2. 2,0 2,1 Isamu Akasaki - FactsNobel Foundation. Праверана 7 мая 2020.
  3. Isamu Akasaki // Brockhaus Enzyklopädie / Hrsg.: Bibliographisches Institut & F. A. Brockhaus, Wissen Media Verlag Праверана 9 кастрычніка 2017.
  4. 4,0 4,1 https://www.nippon.com/en/news/yjj2021040200887/
  5. Science in Action, Nobel Prizes 2014BBC, 2014.
  6. Deceased Members (англ.) 
  7. 7,0 7,1 Koide, 2021
  8. OSA, 2021
  9. 9,0 9,1 Hayes D.C.. Akasaki Isamu(англ.) . Encyclopedia Britannica (7 красавіка 2021).
  10. Dr. Isamu Akasaki (англ.) 

Літаратура[правіць | правіць зыходнік]

Спасылкі[правіць | правіць зыходнік]