Ісаму Акасакі
Ісаму Акасакі | |
---|---|
яп.: 赤﨑 勇 | |
![]() | |
Дата нараджэння | 30 студзеня 1929[1][2][…] |
Месца нараджэння | |
Дата смерці | 1 красавіка 2021[3] (92 гады) |
Месца смерці | |
Грамадзянства | |
Род дзейнасці | фізік, прафесар, інжынер, даследчык |
Навуковая сфера | фізік |
Месца працы | |
Навуковая ступень | доктар інжынерыі[d] і бакалаўр навук[d] |
Альма-матар | |
Член у | |
Узнагароды |
![]() ![]() медаль Эдысана[d] (2011) ![]() заслужаны дзеяч культуры[d] (2004) прэмія Асахі[d] (2000) ![]() Імператарская прэмія Японскай акадэміі[d] (7 ліпеня 2014) Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology[d] IEEE Jack A. Morton Award[d] (1998) Q126416266? (25 чэрвеня 1999) |
![]() |
Ісаму Акасакі (яп.: 赤崎 勇; 30 студзеня 1929, Тыран — 1 красавіка 2021, Нагоя) — японскі навуковец, вядомы сваімі працамі ў галіне паўправадніковага матэрыялазнаўства і оптаэлектронікі. Лаўрэат Нобелеўскай прэміі па фізіцы, член Японскай акадэміі навук (2014)[5]. Вынаходнік яркіх сініх нітрыд-галіевых паўправадніковых святлодыёдаў (1989 год) і пасля нітрыд-галіевых сініх святлодыёдаў падвышанай яркасці.
Біяграфія
[правіць | правіць зыходнік]Нарадзіўся і вырас у прэфектуры Кагосіма, дзе падчас вайны яго дом быў разбураны, а сам ён ледзь не загінуў у выніку налёту амерыканскай авіяцыі. У 1952 годзе скончыў Кіёцкі універсітэт і некаторы час працаваў у кампаніі Kobe Kogyo Co. (зараз Denso Ten ). З 1959 года займаўся даследчай працай у галіне электронікі ў Нагойскім універсітэце і ў 1964 годзе атрымаў ступень доктара тэхнічных навук. Затым працаваў у кампаніі Matsushita Electric Industrial, дзе ўзначальваў лабараторыю фундаментальных даследаванняў і аддзяленне па даследаванні паўправаднікоў. З 1981 года прафесар факультэта электронікі Нагойскага ўніверсітэта.[6][7] З 1992 года працаваў ва Універсітэце Мэйдзё, дзе з 1996 года быў дырэктарам Цэнтра па даследаванні нітрыдных паўправаднікоў. У 2004 годзе Нагойскі ўніверсітэт прысвоіў яму званне ганаровага прафесара; у 2006 годзе тут адкрыўся названы ў яго гонар Інстытут Акасакі[8].
З 1973 года праводзіў поўнамаштабныя даследаванні, накіраваныя на стварэнне сініх паўправадніковых святлодыёдаў. Тэхналогія стварэння чырвоных і зялёных святлодыёдаў была да таго часу распрацавана. Праблемай было атрыманне патрэбных паўправадніковых крышталяў добрай якасці; самымі папулярнымі кандыдатамі былі нітрыд галію і селенід цынку, аднак апошні не адрозніваўся вельмі высокай стабільнасцю. У 1985 годзе Акасакі з супрацоўнікамі дасягнуў поспеху, прапанаваўшы вырошчваць крышталі нітрыду галію на падкладцы з сапфіру, пакрытай буферным пластом нітрыду алюмінію. У 1989 годзе яны паказалі, што легаванне атамамі магнію ператварае крышталь нітрыду галію ў паўправаднік р-тыпу, здольны даваць значна больш інтэнсіўнае свячэнне. На гэтай аснове ў пачатку 1990-х гадоў былі створаны першыя сінія святлодыёды[8][6].
Узнагароды
[правіць | правіць зыходнік]- 1991 — Прэмія газеты «Цюніці»
- 1995 — Залаты медалі Генрыха Велкера
- 1996 — Медаль з пурпурнай стужкай
- 1998 — Прэмія Ранка
- 1998 — C&C Prize
- 1999 — Медаль Гордана Мура
- 1999 — Toray Science and Technology Prize
- 2000 — Прэмія Асахі
- 2002 — Ордэн Узыходзячага сонца
- 2002 — Прэмія Фудзівары
- 2004 — Заслужаны дзеяч культуры
- 2008 — Замежны член Нацыянальнай інжынернай акадэміі ЗША[9]
- 2009 — Прэмія Кіёта па перадавых тэхналогіях
- 2011 — Ордэн Культуры
- 2011 — Медаль Эдысана
- 2014 — Імператарская прэмія Японскай акадэміі навук
- 2014 — Нобелеўская прэмія па фізіцы сумесна з Хіросі Амана і Сюдзі Накамура.
- 2015 — Прэмія Чарльза Старка Дрэйпера (у ліку ўзнагароджаных таксама Сюдзі Накамура і Нік Халаньяк).
- 2021 — Прэмія каралевы Лізаветы II у галіне інжынернай справы
Абраныя публікацыі
[правіць | правіць зыходнік]- Amano H., Sawaki N., Akasaki I., Toyoda Y. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer. — Applied Physics Letters, 1986. — Vol. 48. — P. 353–355. — DOI:10.1063/1.96549
- Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI). — Japanese Journal of Applied Physics, 1989. — Vol. 28. — P. L2112–L2114. — DOI:10.1143/JJAP.28.L2112
- Akasaki I., Amano H., Koide Y., Hiramatsu K., Sawaki N. Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE. — Journal of Crystal Growth, 1989. — Vol. 98. — P. 209–219. — DOI:10.1016/0022-0248(89)90200-5
- Amano H., Kito M., Hiramatsu K., Akasaki I. rowth and Luminescence Properties of Mg-Doped GaN Prepared by MOVPE. — Journal of the Electrochemical Society, 1990. — Vol. 137. — P. 1639–1641. — DOI:10.1149/1.2086742
- Akasaki I., Amano H., Kito M., Hiramatsu K. Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED. — Journal of Luminescence, 1991. — Vol. 48-49. — P. 666–670. — DOI:10.1016/0022-2313(91)90215-H
- Hiramatsu K., Itoh S., Amano H., Akasaki I., Kuwano N., Shiraishi T., Oki K. Growth mechanism of GaN grown on sapphire with A1N buffer layer by MOVPE. — Journal of Crystal Growth, 1991. — Vol. 115. — P. 628–633. — DOI:10.1016/0022-0248(91)90816-N
- Akasaki I., Sota S., Sakai H., Tanaka T., Koike M., Amano H. Shortest wavelength semiconductor laser diode. — Electronics Letters, 1996. — Vol. 32. — P. 1105–1106. — DOI:10.1049/el:19960743
- Akasaki I., Amano H. Crystal growth and conductivity control of group III nitride semiconductors and their application to short wavelength light emitters. — Japanese Journal of Applied Physics, 1997. — Vol. 36. — P. 5393–5408. — DOI:10.1143/jjap.36.5393
- Takeuchi T., Amano H., Akasaki I. Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells. — Japanese Journal of Applied Physics, 2000. — Vol. 39. — P. 413–416. — DOI:10.1143/jjap.39.413
- Акасаки И. Увлекательные приключения в поисках синего света: Нобелевская лекция. — УФН, 2016. — Vol. 186. — P. 504–517. — DOI:10.3367/UFNr.2014.12.037725
Крыніцы
[правіць | правіць зыходнік]- ↑ Hayes D. C. Akasaki Isamu // Encyclopædia Britannica
- ↑ а б Isamu Akasaki - Facts — Nobel Foundation. Праверана 7 мая 2020.
- ↑ а б https://www.nippon.com/en/news/yjj2021040200887/
- ↑ Science in Action, Nobel Prizes 2014 — BBC, 2014.
- ↑ Deceased Members (англ.)
- ↑ а б Koide 2021.
- ↑ OSA 2021.
- ↑ а б Hayes D.C.. Akasaki Isamu (англ.). Encyclopedia Britannica (7 красавіка 2021).
- ↑ Dr. Isamu Akasaki (англ.)
Літаратура
[правіць | правіць зыходнік]- Koide Y. Isamu Akasaki in memoriam. — Nature Photonics, 2021. — Vol. 15. — P. 551–552. — DOI:10.1038/s41566-021-00852-5
Спасылкі
[правіць | правіць зыходнік]- Информация на сайте Нобелевской премии (англ.).
- In Memoriam: Isamu Akasaki, 1929-2021 (англ.). Optical Society of America (27 жніўня 2021).
- Нарадзіліся 30 студзеня
- Нарадзіліся ў 1929 годзе
- Нарадзіліся ў прэфектуры Кагосіма
- Памерлі 1 красавіка
- Памерлі ў 2021 годзе
- Памерлі ў прэфектуры Айты
- Дактары інжынерыі
- Кавалеры ордэна Узыходзячага сонца 3 класа
- Кавалеры ордэна Культуры
- Узнагароджаныя медалём Эдысана
- Лаўрэаты Нобелеўскай прэміі па фізіцы
- Лаўрэаты прэміі Чарлза Старка Дрэйпера
- Асобы
- Вучоныя паводле алфавіта
- Члены Японскай акадэміі навук
- Лаўрэаты прэміі Кіёта
- Лаўрэаты Нобелеўскай прэміі з Японіі
- Лаўрэаты Нобелеўскай прэміі паводле алфавіта
- Фізікі Японіі